公司简介
浙江驰拓科技有限公司成立于2016年，专注于新型存储芯片的研发、生产和销售。总部位于杭州临安青山湖科技城，总建筑面积3.4万平米，建有12英寸MRAM量产中试线，是国内第一家实现MRAM量产的企业。公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列化产品，并可提供90/55/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片定制、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务，是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业。驰拓科技在新一代自旋轨道力矩磁性随机存取存储器上的研究也处于国内领先水平。2024年驰拓科技在IEDM大会上首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，这一突破性设计标志着其具备了Mb级SOT-MRAM演示芯片制造能力，为下一代高速、高密度、高可靠MRAM芯片设计与制造奠定了坚实的基础。
主营产品
驰拓科技MRAM产品具有125℃下十年以上数据保持能力，支持超过万亿次重复写入，工作温区覆盖-40~+125℃，亚ppm级失效率的大容量阵列良率水平达到95%。驰拓科技掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列化产品，并可提供90/55/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片定制、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务。
