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MCC 150V MOSFET

电子展:分立元件###半导体展:其他，请注明|||功率器件IDM

MCC推出MCG062N15Y：150V N沟道MOSFET，专为紧凑型空间受限设计的高效开关应用而设计。该器件采用先进的分栅沟槽（SGT）技术和高密度元胞结构，提供低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，从而降低导通损耗和开关损耗，实现更高的能效。

MCG062N15Y采用热优化的PDFN3333封装，在苛刻的功率环境中提供更佳的散热性能和可靠的性能表现。其增强的封装设计支持高精度自动光学检测（AOI），有助于降低不良品漏检率和误判率，这对提升制造良率和系统可靠性至关重要。

MCG062N15Y理想适用于电源、电机驱动、负载开关、MPPT控制器、逆变器和自动化系统，为设计人员实现更小

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