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高压MOS / SIC MOS / FRD

电子展:半导体元器件,功率器件/SIC/GaN保护器件

高压MOS:
1、成熟的高压平面VDMOS产品
2、电压覆盖600-1500V
3、应用于逆变器、充电器以及高压开关电源等领域；
SIC MOS：
1、碳化硅MOS：采用先进的栅极工艺，实现低导通电阻和高阈值电压的结合，实现产品的高可靠性和高性价比；
2、碳化硅二极管：通过工艺和设计优化，实现了高可靠性（浪涌和雪崩值）与高性价比；
FRD:
1、采用先进的扩

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