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GaN功率模块 (3芯）

半导体展:SiP系统级封装

GaN IPM智能功率模块基于第三代半导体技术，集高效、高频、高集成度于一体，较传统硅器件降低50%以上开关损耗，提升能源利用率。具备高频开关与纳秒级延迟特性，优化系统动态响应。采用先进封装设计，功率密度提升30%，节省空间。支持可编程开启速度控制，灵活平衡EMI与效率，适用于高速精准控制场景。