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Trench-FS IGBT

电子展:半导体元器件,功率器件/SIC/GaN保护器件

工艺：微沟槽
电压：650V/1200V
电流：15A-600A
封装：TO-247L

特点：
1、最新一代的微沟槽-场截止型IGBT，功率密度更大；
2、更优的过剩载流子分布和关态电场分布，实现BV、Vceon和Eoff的良好折中。