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SJ-MOS

电子展:半导体元器件,功率器件/SIC/GaN保护器件

工艺：Multi-EPI
电压：500V-950V
导通：22mR-1200mR
典型封装：TO-220F/TO-247L

特点：
1、产品漏电小，高温及长期可靠性更高；
2、栅极震荡更低，有利于EMI的改善；
3、极优的FOM和RSP，有效提高整体效率及功率密度。