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650V-1200V全系列IGBT单管

电子展:半导体元器件,功率器件/SIC/GaN保护器件

1、多种先进的IGBT技术平台：平面非穿通，沟槽非穿通，平面场截止，沟槽场截止。
2、多种不同封装形式满足客户应用需求。
3、高可靠性，低能耗，客户端应用稳定。
4、低饱和压降和高速开关特性。
5、快恢复FRD技术.
6、从经济和性能方面为用户提供灵活的选择方案。
IGBT内绝缘：
1）先进的内绝缘封装工艺
2）采用沟槽/平面，非穿通技术平台。
3）短路能力