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SGT MOS

电子展:半导体元器件,功率器件/SIC/GaN保护器件

工艺：SGT
电压：30V-300V
导通：0.7mR-240mR
典型封装：DFN5x6/TOLL/TOLT

特点：
1、采用先进的SGT工艺，产品具有极优的FOM，将器件损耗降到最低；
2、极低的RSP，最大程度增加功率密度，适用体积要求更高场景；
3、SGT结构可屏蔽栅漏电容，大幅降低Cgd，增加开关速度；
4、大幅改善开关和导通损耗，

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