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SiC MOS

电子展:半导体元器件,功率器件/SIC/GaN保护器件

工艺：平面
电压：650V/1200V/1700V
电流：10-140A
典型封装：TO-247-4L/TO-252

特点：
1、优异的电学性能、鲁棒性和高可靠性；
2、栅氧化层长期可靠、极低的导通和开关损耗；
3、灵活的阈值电压设计，可满足高/低压驱动要求；
4、可支持零栅压关断，应用设计简单。

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